D I S S E R T A T I O N

Transiente Simulation von
Silizium-MOSFETs

ausgeführt zum Zwecke der Erlangung des akademischen Grades
eines Doktors der technischen Wissenschaften
eingereicht an der Technischen Universität Wien
Fakultät für Elektrotechnik

von

Otto Heinreichsberger

Girardigasse 1/2/31
A-1060 Wien
Matr.-Nr. 8125668
geboren am 19. August 1963 in Amstetten

Wien, im März 1992