Das CP-Experiment mit variablen Steig- und Fallzeiten
der Gate-Spannung wird zur Profilierung der
Störstellen-Verteilung im verbotenen Band benutzt
(Abschnitt 4.3.3 bzw. [34]).
In der Abbildung 4.9 sind
Meß- und Simulationsergebnisse für 
-Dioden
mit der geometrischen Kanallänge 
=
gegeben. Eventuelle parasitäre dimensionale Effekte
(siehe Abschnitt 4.5
und 4.5.3) treten bei
dieser Kanallänge noch nicht auf. Wie in den
vorhergehenden Unterabschnitten wurde eine kleine
mittlere Störstellendichte
von 
=
am Backinterface angenommen. Das obere Bild
zeigt die Resultate für drei verschiedene Werte
von .
Die Übereinstimmung von Experiment und Simulation
ist nur für die langen akzeptabel.
Während für kurze die simulierten
Kurven ein reguläres Bild zeigen - im gesamten
Bereich von 
vergrößern sich die 
-Werte
gleichförmig - zeigen die experimentellen Werte
im Gegensatz zu den simulierten
ein bezüglich =
unsymmetrisches Verhalten.
Der massive Anstieg von in der rechten Hälfte
des Bildes kann mit dem in dieser Arbeit verwendeten
Parametersatz nicht beschrieben werden.