D I S S E R T A T I O N
Transiente Simulation von
Silizium-MOSFETs
ausgeführt zum Zwecke der Erlangung des akademischen Grades
eines Doktors der technischen Wissenschaften
eingereicht an der Technischen Universität Wien
Fakultät für Elektrotechnik
von
Otto Heinreichsberger
Girardigasse 1/2/31
A-1060 Wien
Matr.-Nr. 8125668
geboren am 19. August 1963 in Amstetten
Wien, im März 1992