Anstatt des Source-Kontaktes werden in Tabelle 2.4
die Ströme am Substratkontakt wiedergegeben.
Die Kontaktpotentiale sind an allen Kontakten gleich Null.
Die Resultate sind den vorhergehenden analog.
Die Elektronenströme
am Source- und Drain-Kontakt sind beim Linienintegral groß,
weil die Linienintegration in hoch dotierten Gebieten erfolgt.
Die Werte sind allerdings kleiner als bei den SOI-Bauelementen,
da beim gegenständlichen MOSFET die Dotierung der Source-Drain-Gebiete
um ca. 
Zehnerpotenzen kleiner ist.
Tabelle 2.4: Substrat-MOSFET im thermodynamischen Gleichgewicht.
Alle Werte in 
.