In Halbleitermaterialien können Ladungsträgerpaare erzeugt
(generiert) oder vernichtet (rekombiniert) werden. Diese
Generations- und Rekombinationsprozesse werden durch unterschiedliche
physikalische Mechanismen im Halbleiter erklärt [94][108].
Im folgenden soll nur der Mechanismus der Generation/Rekombination
über sogenannte Störstellen behandelt werden. Störstellen
im Halbleitervolumen werden in der Regel durch
die bei der Dotierung unvermeidliche Verschmutzung des Materials
mit Fremdmetallen erzeugt. Die Energieniveaus solcher
Störstellen liegen dann zumeist nahe der Mitte des
verbotenen Bandes. Im Unterschied dazu werden
Grenzflächen-Störstellen an 
-Übergängen
durch die Unterbrechung der periodischen Kristallstruktur
des einkristallinen Siliziums verursacht. Solche Störstellen
sind im gesamten verbotenen Energieband ungleichförmig verteilt.
Störstellen wirken wie Katalysatoren, die die ,,Reaktion`` von
Elektronen mit Löchern ermöglichen. Diese Art der
Rekombination wird deshalb auch indirekte Rekombination genannt.
Dieses Kapitel ist folgendermaßen aufgebaut.
Im Abschnitt 3.1 werden die Ratengleichungen für
diskrete Störstellen hergeleitet und in den
folgenden Abschnitten 3.2, 3.3
bzw. 3.7 analytisch untersucht.
Der Abschnitt 3.4 enthält einführende Details, der
Abschnitt 3.5 analytische Näherungen für
die Dynamik verteilter Grenzflächen-Störstellen.
In den Abschnitten 3.6, 3.8 und
3.9 werden numerische und
implementationstechnische Aspekte analysiert.
Den Abschluß des Kapitels bilden
die Abschnitte 3.10
und 3.11, in denen die
stationäre und
nichtstationäre Ladungsträgeremission im MOS-Kanälen
und der Charge-Pumping-Effekt numerisch
simuliert und die Ergebnisse analysiert werden.
, 
und 