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Abbildung 4.7:
Einfluß des Formfaktors auf die Elektronenbeweglichkeit in n-Si als Funktion der Dotierung bei 300 K. Im Vergleich dazu das BH-Modell. Die experimentellen Daten sind [MSS83] entnommen und beziehen sich auf P-dotiertes Si.
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Der Einfluß einer räumlich ausgedehnten Störstelle, oder gleichbedeutend, eines q-abhängigen Formfaktors auf die Beweglichkeit in n-dotiertem Si ist in
Abbildung 4.7 zu sehen. Es sei nochmals darauf hingewiesen, daß die Simulationen mit einem 
von 11.7 durchgeführt wurden. Jegliche starke Änderung dieses Wertes
hat erhebliche Auswirkungen auf die Reichweite der Elektronenverteilung und damit auf die
Dopandenabhängigkeit der Elektronenbeweglichkeit.
Abbildung 4.8:
Die Elektronenbeweglichkeit als Funktion der Dotierung bei 300 K unter Berücksichtigung von dispersiver Abschirmung, Paarstreuung, zweiter Born-Korrektur, Elektron-Plasmon Streuung und Pauli-Prinzip bei Annahme einer
räumlich ausgedehnten Störstelle. Die experimentellen Daten sind [MSS83] entnommen.
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Abbildung 4.9:
Die Elektronenbeweglichkeit als Funktion der Donatorkonzentration bei 300 K in
P-, As- und Sb-dotiertem Si.
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Abbildung 4.10:
Die Beweglichkeit der Minoritätselektronen als Funktion der Akzeptorkonzentration bei 300 K in Si. Die experimentellen Daten für B-Si sind aus
[Dzi79,LN93,SKS86] und für P-Si aus [MSS83].
![\begin{figure}
\psfrag{y-mob}{Electron Mobility [cm$^2$/Vs]}
\psfrag{a17}{{\hspa...
...}}\end{center}\vskip0.25cm
\begin{center}\parbox{14cm}{}\end{center}\end{figure}](img572.gif) |
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Kaiblinger-Grujin Goran
1997-12-06