Die Grundlagen über Gitterschwingungen und über Ladungsträgerstreuung wurden in den Abschnitten 2.3 und 2.4 behandelt. Im folgenden werden Modelle für die Streupotentiale angegeben und daraus die Streuraten berechnet.
Eine Wechselwirkung von Deformationswellen und Elektronen tritt ein, weil die Bandstruktur des Halbleiters vom Gitterabstand abhängt. Durch die zeitliche Veränderung Gitterabstandes tritt eine Störung der Leitungs- und Valenzbandkanten auf, an der das Elektron beziehungsweise das Loch gestreut wird. Die elastischen Wellen sollen sich im Halbleiter gemäß
ausbreiten, wobei 
die Auslenkung der Atome bedeutet.
