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Dissertation Hans Kosina
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Danksagung
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Kurzfassung
Abstract
Danksagung
Verwendete Symbole
1 Einleitung
2 Physikalische Grundlagen
2.1 Die semiklassische Näherung
2.2 Die Boltzmanngleichung
2.2.1 Quantenmechanische Herleitung
2.2.2 Die Boltzmanngleichung als Kontinuitätsgleichung
2.2.3 Das Streuintegral
2.3 Gitterschwingungen
2.4 Ladungsträgerstreuung
2.5 Gültigkeit der Boltzmanngleichung
3 Das Physikalische Modell von Silizium
3.1 Bandstruktur
3.1.1 Diskussion
3.1.2 Anisotropie und Nichtparabolizität
3.1.3 Zustandsdichte
3.1.4 Energie im thermodynamischen Gleichgewicht
3.2 Dynamik der Ladungsträger
3.2.1 Trajektorien im Impulsraum
3.2.2 Trajektorien im Ortsraum
3.3 Phononenstreuung
3.3.1 Zwischentalstreuung
3.3.2 Innertalstreuung
3.4 Störstellenstreuung
3.4.1 Das Modell von Brooks und Herring
3.4.2 Die Impulsstreurate
3.4.3 Das Modell nach Ridley
3.5 Grenzflächenstreuung
4 Verfahren zur Lösung der Boltzmanngleichung
4.1 Allgemeine Betrachtungen
4.2 Die Momentenmethode
4.2.1 Das Drift-Diffusionsmodell
4.3 Die Monte-Carlo-Methode
4.3.1 Dauer des freien Fluges
4.3.2 Wahl des Streuprozesses
4.3.3 Bildung stationärer Mittelwerte
5 Numerische Aspekte
5.1 Das Prinzip der Selbststreuung
5.2 Ein verbesserter Selbststreualgorithmus
5.2.1 Wahl der Selbststreurate
5.2.2 Wahl der freien Parameter
5.3 Der Zustand nach der Streuung
5.3.1 Isotrope Streumechanismen
5.3.2 Die Störstellenstreuung
5.4 Mittelwerte auf nichtuniformen Gittern
5.4.1 Herkömmliche Methoden
5.4.2 Die Faltung
5.5 Erzeugung einer Gleichgewichtsverteilung
5.6 Diskretisierung der Kontinuitätsgleichung
5.7 Simulation seltener Ereignisse
5.7.1 Die Hochenergieverteilung
5.8 Skalierung
6 Ein hybrides Transportmodell
6.1 Kopplung von Monte-Carlo- und Drift-Diffusions-Methode
6.1.1 Die Methode von Bandyopadhyay
6.1.2 Eine alternative Beweglichkeitsdefinition
6.1.3 Die Impulsstreurate
6.2 Äquivalenz der Modelle
6.2.1 Die Beweglichkeit
6.2.2 Die Trägertemperatur
6.3 Die Monte-Carlo-Poisson-Kopplung
6.3.1 Herkömmliche Verfahren
6.3.2 Kopplung durch Drift-Diffusionskoeffizienten
7 Anwendungen
7.1 Die
-Diode
7.2 Der Kurzkanal-MOSFET
7.2.1 Randbedingungen
7.2.2 Behandlung unterschiedlicher Trägerkonzentrationen
7.2.3 Identifizierung der kritischen Bereiche
7.2.4 Beispiel-Transistoren
7.2.5 Konvergenzeigenschaften
7.2.6 Nichtlokale Effekte
7.2.7 Die Kopplungskoeffizienten
Literaturverzeichnis
Eigene Veröffentlichungen
Lebenslauf
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Martin Stiftinger
Wed Oct 12 11:59:33 MET 1994