Der Einfluß der Bandstruktur auf den Hochenergietransport von Elektronen ist
doppelter Natur: zum einen wird die Dynamik der Elektronen festgelegt, das
heißt, die Änderung der Geschwindigkeit unter Einwirkung eines elektrischen
Feldes und somit die Änderung des Ortes, zum zweiten hängt die totale
Streurate direkt von der Dichte der möglichen Endzustände ab.
Wegen der Komplexität der realen 
Beziehung - sie besteht aus
mehreren, stark anisotropen Valenz- und Leitungsbändern - ergeben sich
grundsätzliche Schwierigkeiten bei der Modellierung. Abbildung 3.1
zeigt die Bandstruktur von Silizium, die mit der empirischen
Pseudopotentialmethode berechnet wurde [97].
Abbildung 3.1: Bandstruktur von Silizium