In dotierten Halbleitern wird die Beweglichkeit durch Streuung an ionisierten Störstellen beeinträchtigt. Zwei verbreitete Ansätze zur Modellierung dieses Effektes stammen von Conwell und Weisskopf (CW) [18] und von Brooks und Herring (BH) [9]. Die beiden Methoden unterscheiden sich in der Art, wie das Potential der Ionen geschirmt wird. Ein ausführlicher Überblick zu diesem Thema findet sich in [14].