Fast alle Transportmodelle, die zur Simulation von Halbleiterbauelementen verwendet werden, beruhen auf der Boltzmannschen Transporttheorie. Die wichtigsten sind das Drift-Diffusionsmodell, das hydrodynamische Transportmodell und das Monte-Carlo-Modell. In diesem Kapitel soll einerseits die Abgrenzung zur Quantentransporttheorie beleuchtet werden, die eine weit weniger geschlossene Formulierung als die Boltzmanntheorie erlaubt, andererseits soll gezeigt werden, auf welche Weise quantenmechanische Effekte, wie Bandstruktur und Ladungsträgerstreuung, in diese klassische Theorie einfließen.