8.3.2 Einbringung der Source/Drain-Dotierungen

Bei der Formierung der Source- und Draingebiete wird die Dosis der üblichen LDD-Implantation erhöht. Man spricht dann von einer HDD-Implantation (Highly Doped Drain). Diese wird mit vergleichsweise hoher Dosis und geringerer Energie positioniert. Im diesem Beispiel wurde Arsen mit einer Dosis von cm^-2 bei 20keV Implantationsenergie als HDD-Implantation verwendet. Die eigentliche Source/Drain-Implantation erfolgte nach der Formation des 0.1 breiten Spacers mit einer Dosis von cm^-2 unter 70keV Implantationsenergie. Bei beiden Implantationen wurde der Wafer um 7 gegen die Einfallsrichtung der Ionen geneigt. Die Ansicht der gesamten Arsenkonzentration ist in Abb. 8.13 wiedergegeben und zeigt deutlich die relativ starke Wirkung der Kanäle im Siliziumkristall. Beide Profile wurden mit dem Programm mcimpl3d [Boh95b] mithilfe der Monte-Carlo Methode berechnet. Die Eindringtiefe im Bereich des Feldoxydes ist aufgrund der amorphen Struktur von SiO₂ wesentlich geringer als im Silizium.