8.3.3 Einbringung der Kanal-Dotierungen

Die zur Einstellung der gewünschten Schwellspannung notwendige Bor-Dotierung des Kanalgebietes wurde durch ein analytisches Modell mit einer Gauß-Verteilung (Maximalwert $1\cdot 10^{18}$cm^-3, Eindringtiefe 85nm) angenommen. Ähnlich wurde auch die Bor-Verteilung zur Begrenzung des Kanalgebietes unter dem Feldoxyd (Channel-Stopper Implant) mit einem Maximalwert von $1\cdot 10^{19}cm^{-3}$ und einer Eindringtiefe von 110nm angenommen.

Zur Reduktion des Kurzkanaleffektes wird eine sogenannte HALO-Implantation [Hwa96b] verwendet. Dies ist in diesem Beispiel eine Bor-Implantation unter einem Winkel von $45^\circ$und erhöht die Borkonzentration am Übergang vom HDD-Profil zum Kanalprofil. Die Implantation wurde mit einer Dosis von $7\cdot 10^{12}$cm^-2 bei 25keV Implantationsenergie durchgeführt, sodaß das Profil deutlich unter das Gate reicht. Die Verteilung der gesamten Bordotierungen ist in Abb. 8.12 dargestellt, anhand welcher auch das verwendete Rechengitter zu sehen ist.

  

Abbildung 8.12: Verteilung von Bor, bestehend aus Kanaldotierung, Channel-Stopper Dotierung und der HALO-Implantation, sowie des verwendeten Rechengitters (27173 Knoten und 134374 Tetraeder).

Das in Abb. 8.12 dargestellte Gitter wurde mithilfe des Programms deLink [Fle96] auf der Basis der Gitterpunkte und der Oberflächenbeschreibung der Struktur erzeugt. Die Generierung der Gitterpunkte selbst erfolgte durch die zweidimensionale Vergitterung mehrerer paralleler ebener Schnitte der Geometrie anhand der vorhandenden Dotierstoffverteilungen. Aus solcherart unter Verwendung des Programms triangle (Teil der VISTA-Umgebung [Hal95]) erzeugten Gitterpunktverteilung generierte das Programm deLink ein Tetraedergitter, welches die Delaunay-Bedingung erfüllt. Es besteht aus 27173 Knoten und 134374 Tetraedern.