Bei der Herstellung von Transistoren mit derart kleinen Abmessungen liefert die herkömmliche LDD-Technik keine zufriedenstellenden Ergebnisse. Es wurden daher Erweiterungen und Modifikationen entwickelt. Einerseits ist eine höhere Dotierung der Source- und Draingebiete notwendig und andererseits muß auch die Kanaldotierung unter den Gatekanten zur Reduktion des Kurzkanaleffektes modifiziert werden [Hor91] [Hwa96b] [Hwa96a].