Das transiente Verhalten der Bildung und Auflösung von {311}-Defekten bestimmt die Dauer und das
Ausmaß der Interstitial-Übersättigung. Zur Studie des qualitativen Verhaltens wurde die
Ratengleichung Gl. 2.16 für einen einzelnen Punkt in der Tiefe Rp, der
Eindringtiefe der Implantation, gelöst (siehe Abb. 3.2). Um dem Abtransport von
Interstitials zur Oberfläche gerecht zu werden, wurde der Abfluß an freien Interstitials mit
approximiert. Die Breite der Interstitial-Verteilung wurde dabei
ebenfalls mit Rp angenommen.
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Mit diesem einfachen Modell kann der qualitative zeitliche Verlauf der Interstitial-Übersättigung gut wiedergegeben werden (Abb. 3.3). Er gliedert sich in zwei Abschnitte:
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Für die transiente Diffusionserhöhung ist einerseits das Ausmaß der Überhöhung der
Interstitial-Konzentration selbst und andererseits die Dauer dieser
Überhöhung maßgeblich. Während bei niedriger Interstitial-Dosis die Wachstumsphase sehr
kurz ist und daher im Vergleich zur Bildungsphase nur einen vernachlässigbaren Beitrag zur
gesamten Diffusionserhöhung liefert, überwiegt im Fall höherer Defektdosis der Einfluß der
Auflösungsphase.
Weiters ist die räumliche Ausdehnung der Zone erhöhter Diffusion von großem Interesse. Da der Abbau der Interstitials hauptsächlich an der Oberfläche erfolgt, werden die Präzipitate von der Oberfläche her aufgelöst. Die Auflösung ist anfangs relativ schnell und wird zunehmend langsamer. Dieses Verhalten ergibt sich aus der wachsenden Distanz der verbleibenden Präzipitate zur Oberfläche, sodaß der Abtransport langsamer wird, und wird noch durch die Ostwald-Reifung verstärkt, welche eine Absenkung der lokalen Übersättigung bewirkt und somit die treibende Kraft für den Interstitial-Abbau reduziert [Gen97].