Intrinsische Punktdefekte bestimmen das Diffusionsverhalten der eingebrachten Dotieratome. Es ist daher die genaue Kenntnis und Modellierung des Verhaltens der Punktdefekte eine Grundvoraussetzung für die erfolgreiche Simulation von Diffusionsprozessen.
In den letzten Jahren hat sich die Bedeutung von größeren Defekten für das Punktdefektverhalten immer stärker herauskristallisiert. Die Bildung und Auflösung von {311}-Defekten bestimmt im wesentlichen die zeitliche Dauer und die Intensität der Überhöhung der Interstitial-Konzentration, welche ihrerseits entscheidenden Einfluß auf die transiente Beschleunigung und Unterdrückung der Dopandendiffusion ausübt.
Diese flächenhaften Defekte bilden sich in der {311}-Ebene des Siliziumkristalls aus, indem sich Siliziumatome regelmäßig an den entsprechenden Zwischengitterplätzen ansiedeln. Die Ausdehnung der beobachteten Formen lassen sich durch eine maximale Breite von 4-5nm und variabler Länge charakterisieren [Eag94], wobei sie sich in der Dicke auf eine Atomlage beschränken.