Die Entwicklung von MINIMOS - ein Programm für die zweidimensionale Simulation von MOS Transistoren - begann in den späten siebziger Jahren. Die erste Version dieses Programms, das ganz spezifisch für die Simulation von planaren MOSFETs konzipiert war und daher sehr effizient codiert werden konnte, wurde 1980 veröffentlicht [75]. Seit dieser Zeit war das Programm in ständiger Entwicklung, wobei bis zur Version MINIMOS 4 die Einschränkung der Anwendbarkeit auf die zweidimensionale Simulation planarer MOSFETs beibehalten wurde. Parallel mit der Entwicklung von MINIMOS 5, bei der das Programm für die dreidimensionale Simulation auch nichtplanarer MOSFETs erweitert wurde [86], wurden auch die ersten Modelle für die Simulation von MESFETs auf Silizium und GaAs Substraten implementiert [52].