Dieses Kapitel soll einen Überblick über die Anwendbarkeit und die Funktion der im vorigen Kapitel beschriebenen Modelle für GaAs MESFETs geben. Alle Modelle wurden im Simulationsprogramm MINIMOS implementiert. Als Beispiele wurden typische Probleme bei der Entwicklung von GaAs MESFETs gewählt und Meßdaten typischer FETs mit Simulationen verglichen, um zu zeigen, welche physikalischen Effekte in der Simulation unbedingt zu berücksichtigen sind. Im folgenden sollen in einem kurzen Überblick die Struktur, die numerischen Algorithmen und die Generations- und Rekombinationsmodelle von MINIMOS erläutert werden.