Inhaltsverzeichnis

• Kurzfassung - Abstract
• Kurzfassung
• Vorwort
• 1 Einleitung
• 2 Der Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor
  • 2.1 Aufbau und Wirkungsweise
  • 2.2 Grundlagen der GaAs Technologie
    • 2.2.1 Ein GaAs MESFET Prozeß
    • 2.2.2 Prozeßmodelle für die Ionenimplantation
    • 2.2.3 Epitaxie
• 3 Die physikalischen Grundlagen
  • 3.1 Die Halbleitergleichungen
    • 3.1.1 Boltzmanngleichung und Momentenmethode
    • 3.1.2 Das lokale ``Hot Carrier'' Modell
    • 3.1.3 Einbeziehung nichtlokaler Effekte
    • 3.1.4 Das Transportmodell für Zweibandhalbleiter
  • 3.2 Der Schottkykontakt
    • 3.2.1 Oberflächenpotential am Schottkykontakt
    • 3.2.2 Stromfluß über die Schottkybarriere
    • 3.2.3 Die thermionische Emissions- und Diffusionstheorie
    • 3.2.4 Modellierung der Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit
    • 3.2.5 Randbedingungen für die numerische Simulation
  • 3.3 Tiefe Störstellen
    • 3.3.1 Tiefe Störstellen in GaAs
    • 3.3.2 Modellierung tiefer Störstellen
  • 3.4 Materialeigenschaften von Galliumarsenid
    • 3.4.1 Bandstruktur von GaAs
    • 3.4.2 Beweglichkeit der Ladungsträger
    • 3.4.3 Das reduzierte Zweiband-Transportmodell
• 4 Ergebnisse
  • 4.1 MINIMOS
    • 4.1.1 Überblick der numerischen Methoden
    • 4.1.2 Struktur und Modellhierarchie
    • 4.1.3 Generations- und Rekombinationsmodelle
  • 4.2 Substrateinflüsse im GaAs MESFET
  • 4.3 Durchbruch im GaAs MESFET
  • 4.4 Kennlinie eines `ungated' MESFET
  • 4.5 Ionenimplantierte MESFETs
• 5 Ausblick
• Literaturverzeichnis
• Eigene Veröffentlichungen
• Lebenslauf
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