Die Ergebnisse einer physikalischen Bauelementsimulation, d.h. einer Simulation deren Modelle physikalisch motiviert sind, lassen sich in zwei Klassen einteilen:
Eine Klasse umfaßt die sogenannten integralen Größen, die als Eingangs-, Ausgangs- und Transferkennlinien, Steilheiten und Durchbruchspannungen von der Messung her leicht zugänglich sind und das elektrische Verhalten des Bauelements charakterisieren. Diese Größen quantitativ genau zu kennen, ist vor allem für die Entwicklung von Bauelementen in der Praxis wichtig.
Die andere Klasse umfaßt jene Ergebnisse einer physikalischen Simulation, aus denen sich qualitativ das Verhalten des Bauelements erklären läßt. Dies sind die lokalen Verteilungen der mikroskopischen Größen, wie der Elektronen- und Löcherkonzentration, der Stromdichten, der Generations- und Rekombinationsraten im Bauelement. Diese Ergebnisse geben genauen Aufschluß über die Gültigkeit und die Grenzen eines physikalischen Modells.
Gemäß dieser Einteilung lassen sich aufgrund der mit MINIMOS bisher gewonnenen Erfahrung zwei Zielrichtungen für weiterführende Arbeiten an der Simulation von GaAs MESFETs absehen:
Die für den täglichen Einsatz in der Entwicklung wichtigen quantitativen Ergebnisse, erfordern eine genaue Kenntnis der benötigten Eingabegrößen. Als besonders wichtig hat sich dabei die Beschreibung des elektrisch aktiven Dotierungsprofils erwiesen. Dies macht den Einsatz der Prozeßsimulation, die in der Siliziumtechnologie bereits fest etabliert ist, auch in der Galliumarsenidtechnologie unumgänglich. Nur so kann die in der täglichen Praxis geforderte Genauigkeit und Zuverlässigkeit der Simulationsergebnisse erreicht werden.
Die Verbesserung der qualitativen Ergebnisse in der Simulation von GaAs MESFETs,
die natürlich auch eine Voraussetzung für gute quantitative Ergebnisse sind,
erfordert eine Verbesserung des Transportmodells für GaAs.
Wie durch Monte-Carlo-Rechnungen [92] gezeigt wurde, kann nur durch eine
Einbeziehung nichtlokaler Effekte, wie des `velocity overshoot', eine korrekte
Beschreibung des Elektronentransports in sehr kleinen MESFETs (Gatelänge 
) aus GaAs erreicht werden. Eine Berücksichtigung dieser Effekte in einer
erweiterten Drift-Diffusionsnäherung sollte daher ein nächstes Ziel
weiterführender Arbeiten sein.