Galliumarsenid ist ein sogenannter III-V Verbindungshalbleiter, bestehend aus Gallium (III. Hauptgruppe) und Arsen (V. Hauptgruppe des Periodensystems), und wurde in den späten zwanziger Jahren dieses Jahrhunderts zum ersten Mal hergestellt [20]. Seit 1952, als zum ersten Mal die elektrischen Eigenschaften von GaAs beschrieben wurden [88], gewinnt dieses Material aufgrund seiner speziellen Eigenschaften immer größere Bedeutung für die Herstellung elektronischer Bauelemente. Seit dieser Zeit ist dieser Halbleiter Gegenstand intensiver Forschung, und die GaAs Technologie hat inzwischen Großserienreife erreicht.
In den letzten Jahrzehnten erschien eine große Zahl von Publikationen über die Materialeigenschaften und die Anwendungen von GaAs. Erwähnenswert erscheint hier ein 1982 erschienener zusammenfassender Artikel [7], der einen umfassenden Überblick über die Materialeigenschaften von GaAs gibt. In den folgenden Abschnitten soll nun versucht werden, die für die Simulation relevanten Materialdaten und physikalischen Modelle zu beschreiben. Darüberhinaus werden numerische Ergebnisse des in Kap. 3.1.4 beschriebenen Transportmodells für GaAs diskutiert.