3.1 Die Halbleitergleichungen



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3.1 Die Halbleitergleichungen

 

Um das elektrische Verhalten eines Halbleiterbauelements in Abhängigkeit von seiner geometrischen Struktur und seiner Materialzusammensetzung beschreiben zu können, benötigt man geeignete mathematische Modelle, die die zugrundeliegenden physikalischen Vorgänge mit ausreichender Genauigkeit beschreiben. Im Bereich der mehrdimensionalen numerischen Bauelementsimulation hat sich das Drift-Diffusionsmodell [76], bestehend aus drei gekoppelten partiellen Differentialgleichungen - der Poissongleichung (3.1), den Kontinuitätsgleichungen für Elektronen (3.2) und Löcher (3.3)

   

- und den Trägertransportgleichungen für die Stromdichten (3.4) und (3.5) als ausreichend erfolgreich erwiesen.

  

In Verbindung mit passenden Modellen für die Beweglichkeiten , die aktive Störstellenkonzentration und verschiedene Generations- und Rekombinationsmechanismen läßt sich das elektrische Verhalten einer großen Zahl von verschiedenen Bauelementen - wie Dioden, Bipolartransistoren, MOSFETs, MESFETs, Thyristoren usw. - mit ausreichender Genauigkeit und zumutbarem Aufwand an Zeit und Computerresourcen simulieren. Aus diesem Grund entstand in den letzten zehn Jahren eine Vielzahl von Computerprogrammen, die die Halbleitergleichungen (3.1) - (3.5) in diskreter Form stationär und/oder transient in einer (ZOMBIE [41], SEDAN [93]), zwei (BAMBI [18], PISCES [62]) oder drei räumlichen Dimensionen (MINIMOS [78], HFIELDS [10], SECOND [13]) zu lösen imstande sind. Eine umfassende Beschreibung der physikalischen Modelle für die Größen , und im Rahmen des Drift-Diffusionsmodells und der numerischen Methoden zur Lösung des daraus resultierenden Gleichungssystems sowie Hunderte Referenzen zu diesem Thema findet man in [76].

Durch den Übergang zu immer kleineren Bauelementen und dem verstärkten Einsatz von Halbleitermaterialien wie Galliumarsenid treten nun physikalische Effekte in den Vordergrund, die durch die klassische Drift-Diffusionsnäherung nur teilweise oder überhaupt nicht beschrieben werden können. Eine Herleitung der Gleichungen (3.1) - (3.5) aus physikalischen Grundprinzipien soll nun dazu dienen, die Grenzen dieser Formulierung aufzuzeigen.





Martin Stiftinger
Fri Oct 14 19:00:51 MET 1994