Die Oxiddicke wird heute in den meisten Fabrikationslinien für
fast alle Wafer während der Produktion selbst
gemessen (sog. ,,Inline Measurement``).
Problematisch ist dabei der systematische
Unterschied (aufgrund einer sehr dünnen Übergangsschicht von
Halbleiter zu Oxid) von optischen gegenüber elektrischen,
auf der Kapazitätsmessung eines Plattenkondensators basierenden
Meßmethoden.
Diese wenigen Nanometer an systematischem Fehler sind aber bei
Oxiddicken von 
bis 
(bei Linienbreiten zwischen 
und 
) signifikant. Dem überlagert sich die
Toleranzvorgabe an die Fertigung von üblicherweise 
.
Da die Oxiddicke 
über 
linear in die Threshold-Spannung eingeht, ist bei einem
beabsichtigten Vergleich von Bauelementkennlinien aus Messung
mit Simulation hier besondere Sorgfalt angeraten.