Inhaltsverzeichnis

• Kurzfassung
• Abstract
• Danksagung
• Abbildungsverzeichnis
• 1 Einleitung
  • 1.1 Halbleitertechnologie-CAD-Systeme
    • Integrations- und Entwicklungs-Frameworks
    • Existierende TCAD-Systeme
  • 1.2 Aufbau der vorliegenden Arbeit
• 2 VISTA
  • 2.1 Datenebene - PIF
  • 2.2 Steuerungsebene - TCAD-Shell
    • 2.2.1 Auswahl der Erweiterungssprache
    • 2.2.2 Erweiterungssprachen allgemeiner CAD-Systeme
    • 2.2.3 Erweiterungssprachen in TCAD-Systemen
  • 2.3 Graphische Benutzeroberfläche
  • 2.4 Simulationswerkzeuge
    • 2.4.1 Werkzeug-Integration auf Shell-Ebene
    • 2.4.2 Angebundene Simulatoren
• 3 VISTA-TCAD-Shell
  • 3.1 Ereignissteuerung
  • 3.2 Callback-Konzept
  • 3.3 Subprozeßverwaltung
    • 3.3.1 Systemqueue
    • 3.3.2 Netzwerkweites Rechnen
    • 3.3.3 Grobkörnige Parallelisierung
  • 3.4 Graphische Benutzerschnittstelle zu MINIMOS
    • 3.4.1 MINIMOS-Basisanbindung
    • 3.4.2 Graphischer Input-Deck-Editor
    • 3.4.3 Berechnung von Kenngrößen
    • 3.4.4 Kennlinien
    • 3.4.5 Extremwertsuche
      • Implementierungsaspekte aufgrund des Callback-Konzepts
• 4 Simulationsunterstützte CMOS-Entwicklung
  • 4.1 Threshold-Spannung
    • 4.1.1 Pragmatische -Definition für Messung und Simulation
    • 4.1.2 Oxiddicke
    • 4.1.3 Oxidladungen
    • 4.1.4 Austrittsarbeit des Gate-Materials
  • 4.2 Subthreshold-Kennlinie
  • 4.3 Kurzkanaleffekt
  • 4.4 Substrateffekt
  • 4.5 Maximaler Drainstrom
  • 4.6 Eingangskennlinie
  • 4.7 Ausgangskennlinienfeld
• 5 Prozeßvereinfachung bei der DRAM-Fabrikation
  • 5.1 Retrograde-Wanne
  • 5.2 -Kanal-Transistor mit -Polysilizium-Gate
    • 5.2.1 -Wanne
    • 5.2.2 Threshold-Justierung
    • 5.2.3 -Wanne
  • 5.3 Drain-Profil
  • 5.4 Prozeßsensitivität
• 6 Unterdrückung heißer Ladungsträger bei einem Hochvolt-CMOS-Prozeß
  • 6.1 Drain-Strukturen
  • 6.2 Allgemeine Optimierungsrichtlinien
  • 6.3 Optimierung der LDD-Struktur
    • 6.3.1 Variation der Spacer-Länge
    • 6.3.2 Variation der LDD-Implantationsenergie
    • 6.3.3 Variation der LDD-Implantationsdosis
  • 6.4 Optimiertes Drain-Profil
  • 6.5 Fertigungsaspekte der LDD-Implantation
  • 6.6 Lebensdauermessungen
  • 6.7 Elektrische Kenngrößen der und -Prozesse im Vergleich
• 7 Ausblick
• Literaturverzeichnis
• Eigene Veröffentlichungen
• Lebenslauf
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