und 
-Prozesse im
Vergleich
Zur Dokumentation der mit der Optimierung der LDD-Struktur
für den -Prozeß erzielten Verbesserung gegenüber dem
-Ausgangsprozeß mit DDD-Struktur sind in
Tab. 6.1
die wichtigsten gemessenen Kenngrößen beider Prozesse
gegenübergestellt.
Tabelle 6.1: Vergleich der elektrischen Kenngrößen der
und -Prozesse.
Bei gleicher Beanspruchung mit 
konnte der Substratstrom um
einen Faktor 
reduziert werden, wohingegen die Abnahme der
Stromtreiberfähigkeit weniger als 
ausmacht. Die Snapback-Spannung
(Minimum der Drain-Source-Haltespannung bei Variation der
Gate-Source-Spannung 
)
und die Drain-Source-Durchbruchspannung 
(Drain-Source-Spannung für 
, bei der der Drainstrom
erreicht)
sind hinreichend größer als die Betriebsspannung von
zuzüglich 
Toleranz.
Da zudem erreicht wurde, daß die typischen elektrischen Parameter
des -Prozesses meist
innerhalb des Toleranzbereichs des älteren -Prozesses liegen,
konnten nahezu alle Standardzellbibliotheken
(Katalog der Grundschaltungen für ASICs
- ,,Application Specific Integrated Circuits``)
übernommen werden [Bau93a].