Als letzten Schritt in der Entwicklungsabfolge
wird man den Vergleich von gemessenem und simuliertem
Ausgangskennlinienfeld 
mit Parameter 
für einen langen und weiten Transistor anstellen. Wenn zuvor
Übereinstimmung bei Threshold-Spannung und Subthreshold-Steilheit
erreicht wurde, sollte der Vergleich wie in Abb. 4.13 für einen
komplexen 
-LDD-Prozeß ausfallen.
Abbildung: Ausgangskennlinienfeld mit Parameter :
Vergleich von Messung und Simulation.
Wenn die Übereinstimmung nicht zufriedenstellend ist,
wird man zuerst die Richtigkeit der
Kanalweite 
überprüfen. Der Einfluß sehr geringer Kanalweiten
(unter ca. 
, Wert abhängig vom Isolationsverfahren),
der ,,Narrow-Channel-Effekt`` [Ake87], wird nur in der
dreidimensionalen Simulation [Thu90a] [Thu90b] berücksichtigt.
Eine andere Ursache kann in der Ladungsträgerbeweglichkeit liegen.
Unstimmigkeiten in der Beweglichkeit sollten aber schon bei der
Eingangskennlinie (Abschnitt 4.6) aufgefallen sein:
Ein ungenaues Beweglichkeitsmodell auf der Simulatorseite oder
die erhöhte Streuung an einer unsauberen Halbleiter-Oxid-Grenzfläche
auf der Technologieseite können die Abweichung von Messung und Simulation
begründen.
Es sollte einen Versuch wert sein, eine lineare Skalierung der
simulierten Drainstromwerte mit dem Verhältnis des gemessenen zu
simuliertem maximalen Drainstrom 
bei 
Versorgungsspannung durchzuführen.
Eine derartige lineare Skalierung entspricht der Rechnung mit einer
effektiven Kanalweite und kann
innerhalb eng gesteckter Grenzen bei der Prädiktion für
Technologie- und Prozeßvariationen sinnvoll sein.
Diese Gültigkeitsgrenzen sind innerhalb der gleichen
Technologiefamilie (etwa LDD versus DDD, 
- oder 
-Substrat,
Doppel-, konventionelle oder Retrograde-Wanne usw.)
für dieselbe Fabrikationslinie und für dieselben
Simulationswerkzeuge zu finden.