IN diesem Kapitel wird in die Anwendung der Bauelementsimulation als Werkzeug bei der Entwicklung der Transistoren eines CMOS- (,,Complementary Metal-Oxide-Semiconductor``) Prozesses [Che86] eingeführt. In einer Art Leitfaden wird in aufeinander aufbauenden Abschnitten dargelegt, welche Größen und Kennlinen des MOS-Transistors mittels Simulation und vergleichender Messung zu untersuchen sind. Die MOS-Grundgleichungen werden angeführt und physikalische Effekte im MOS-Transistor in Kennlinienform diskutiert. Auf mögliche Ursachen in Bezug auf Simulations- oder aber auch Technologieparameter bei Nichtübereinstimmung von Messung und Simulation wird aus der Sicht des Simulationsanwenders eingegangen.
In der Praxis der simulationsunterstützten CMOS-Entwicklung im Rahmen von Kooperationen mit industriellen Partnern hat sich eine logische Analysereihenfolge herauskristallisiert. Es werden folgende Eigenschaften und Kenngrößen des MOS-Transistors in der genannten Reihenfolge in den folgenden Abschnitten untersucht:
CMOS-Prozesses
für dynamische Speicherbausteine. Eine eingehende Besprechung dieses
CMOS-Prozeses erfolgt in Kapitel 5. Die Simulationen wurden
mit MINIMOS in der Version 5.2 innerhalb der VISTA-TCAD-Shell (siehe
Kapitel 3) durchgeführt.