Die Austrittsarbeit (,,Workfunction``) 
ist die Energiedifferenz
zwischen Vakuum- und Fermi-Niveau im Energiebändermodell [Nic82].
Es ist üblich, wenn auch streng genommen inkorrekt, 
(in Volt)
selbst als Austrittsarbeit zu bezeichnen. Bei dotiertem Polysilizium als Gate-Material hat die
Dotierungskonzentration Einfluß auf die Austrittsarbeit [Lif85].
In Gleichung 4.1 steht 
für die Austrittsarbeitsdifferenz
zwischen Gate und Substrat. Eine Variation der
Austrittsarbeit geht linear in die Threshold-Spannung ein. Die
Schwankungsbreite von übersteigt aber kaum
und ist damit in seiner Auswirkung auf die
Bauelementsimulation von nachrangiger Bedeutung.
Als Hinweis sei angefügt, speziell
beim 
-Kanal-Transistor Augenmerk darauf zu richten, ob
als Gate-Material 
- oder 
-dotiertes Polysilizium
gegeben ist. Die Differenz der Austrittsarbeit gegenüber Silizium
beträgt 
für -dotiertes Polysilizium
und 
für -dotiertes Polysilizium,
der daraus resultierende Unterschied in der Threshold-Spannung
immerhin ca. 
.