Bei gegebener Gate-Oxiddicke wird die Threshold-Spannung über die Dosis einer Kanalimplantation (Threshold-Justier-Implantation) eingestellt.
Die zur Erreichung der vorgegeben Threshold-Spannung 
notwendige Kanalimplantationsdosis im
hier behandelten DRAM-Prozeß kann aus Abb. 5.3
mit 
bestimmt werden. Diese Abbildung
der Threshold-Spannung über der Bor-Implantationsdosis zeigt auch
die Prozeßsensitivität auf unbeabsichtigte Dosisvariation.
Auch wenn die gemessene Threshold-Spannung des ersten
Prozeßdurchlaufs nicht vollständig mit dem Zielwert übereinstimmt,
kann hieraus die notwendige Dosiskorrektur abgelesen werden.
Abb. 5.4 zeigt das simulierte Kanaldotierungsprofil am Ende des
Gesamtfertigungsablaufs. Die Bor-Oberflächenkonzentration beträgt
.
Abbildung: Bestimmung der Threshold-Justier-Implantationsdosis für den
-Kanal-Transistor: Threshold-Spannung 
als Funktion der
Bor-Kanalimplantationsdosis.
Abbildung: Bor-Dotierungsprofil [
] für den
-Kanal-Transistor: Ansicht der Drain-Seite,
Schnitt in der Kanalmitte. Die Unregelmäßigkeit unterhalb der
Gate-Kante (bei 
lateral) entsteht durch den Einfluß der
Drain-Dotierung (gekoppelte Diffusion).