Am Beginn eines Prozeßflusses ist in der Simulation - analog zur physischen Herstellung - ein Wafer erforderlich. Von diesem wird ein orthogonal begrenzter Ausschnitt, das Simulationsgebiet, benötigt. Im zweidimensionalen Fall handelt es sich um ein Rechteck und im dreidimensionalen um einen Quader. Das Material ist im allgemeinen Silizium, eine konstante Vordotierung kann angegeben werden.
Die seitlichen Begrenzungen des Gebietes stellen künstliche Grenzen dar, die obere ist die tatsächliche Oberfläche (exposed boundary) des Wafers, und die untere kann entweder künstlich oder, wenn die Höhe des gesamten Gebietes der Dicke des Wafer entspricht, die natürliche untere Grenzfläche des Wafers sein.
(defun subdomain
(coords1 ; coordinates of first point (list of 1..3 numbers)
coords2 ; coordinates of second point (list of 1..3 numbers)
&key
(material "Si") ; [string] substrate material
dopemat ; [string] doping material
dopeconc ; [number] concentration of doping (constant)
dopeact ; [string] activity type of doping
gridtyp ; [:ortho, :trigen :lattgen :triangle]
; grid where the doping be defined on
; \footnote{in 1D and 3D only :ortho is supported!}
gridreso ; [number or list of <dim> numbers]
; (average) distance of grid points
(unit "um") ; [string] geometrical unit
)