Um einfache Dotierungsprofile zu erzeugen, kann die Funktion implant herangezogen werden. Sie erzeugt horizontal erstreckte Profile mit Gauß-Glockenkurvencharakter vertikal (und lateral am Rand). Hier wird der Unterschied zu Prozeßsimulation deutlich: Der PED kennt keine Modelle für Diffusion. Daher muß, falls kein Diffusionssimulator verwendet werden soll, beim Aufruf von implant bereits das fertige, also diffusionsbehandelte Profil hergestellt werden.
(defun implant
(left ; [number] linke Grenze des Implantationsfensters
width ; [number] Breite des Implantationsfensters
depth ; [number] durchschnittliche oder absolute Tiefe des
; Implantationsmaximums (s. y-abs)
peak ; [number] Konzentration des Implants im Maximum
hstdev ; [number] Streuung der Konzentration horizontal:
; conc(x, y=depth) := peak * 10.0 ^ -1/2*(dx/hstdev)^2
vstdev ; [number] Streuung der Konzentration vertikal:
; conc(x=left, y) := peak * 10.0 ^ -1/2*(dy/vstdev)^2
material ; [string] Implantationsmaterial
&key
(unit "um") ; [string] geometrische Einheit (fuer left, width und depth)
segment ; [clsSegment] Segment, auf dem die Implantation definiert wird
grid ; [clsGrid] Gitter, auf dem die Implantationswerte definiert
; werden
y-abs ; [boolean] Parameter depth gibt die absolute y-Koordinate
; des vertikalen Implantationsmaximums statt der
; durchschnittlichen Tiefe
)
...
Die Funktion implant ist eine sehr spezialisierte Anwendung eines allgemeineren Unterprogrammes, das impurity heißt und eine beliebige Funktion conc=F(x,y) zur Berechnung der Konzentration auf den Gitterpunkten zuläßt. F(x,y) wird beim Aufruf von impurity angegeben und für jeden Gitterpunkt mit dessen geometrischen Koordinaten aufgerufen. Die Funktion berechnet die Konzentration aus den Koordinaten der gegebenen Position und liefert sie als Ergebnis. impurity speichert den Wert entsprechend im Attributfeld ab.
Für Anwendungsbeispiele siehe Abb. 10.2 und Abb. 10.3.