MOS-Feldeffekttransistoren sind wohl die von der Miniaturisierung im VLSI-Bereich am stärksten betroffenen Bauelemente.
Als Beispielimplementierung wird eine Funktion vorgestellt, die die Daten eines MOSFET erzeugt. Es handelt sich dabei um ein n-Kanal lowpower Bauteil mit sehr dünnem Gate-Oxid und spacers [37].
Alle wichtigen Parameter seiner Geometrie und Dotierung können eingestellt werden.
(defun ped::mosfet (&key ; Geometrie (left 0.) ; x-Koordinate des linken Randes (width 1.0) ; Breite des Bauteils (bulkdepth 1.0) ; Tiefe des Bauteils (oxideheight 0.002) ; Gateoxid-Dicke (gatewidth 0.34) ; Laenge des Gate (gateheight 0.3) ; Dicke des Poly-Gates (spacerwidth 0.1) ; Breite der Spacer (sourceheight 0.05) ; Dicke des Source-Kontaktes (drainheight 0.05) ; Dicke des Drain-Kontaktes (gatecontactheight 0.05) ; Dicke des Gate-Kontaktes (spacerheight gateheight) ; Hoehe der Spacer ; Material (substrat-material "Si") ; Substratmaterial (contact-material "Silicide"); Kontakt-Material (gate-material "SiO2") ; Gate-Isolier-Material (spacer-material "SiO2") ; Spacer-Isolier-Material ; Gitter (hsplit 40) ; Zahl horizontaler Gitterlinien (vsplit 20) ; Zahl vertikaler Gitterlinien (gridtype 'ORTHOGRID) ; Gittertyp ; Dotierungen (donator-mat "P") ; Dontator-Material (acceptor-mat "B") ; Akzeptor-Material (major-mat donator-mat) ; Majoritaeten - n-Kanal! (minor-mat acceptor-mat) ; Minoritaeten ; Dotierung mit Majoritaets-Material (major-backgr 2e16) ; Grund-Dotierung (major-source-max 5e19) ; Maximale Source-Dotierung (major-drain-max 5e19) ; Maximale Drain-Dotierung (major-chann-max 1e18) ; Maximale Kanal-Dotierung (major-buried-max 5e17) ; Maximale Dotierung des Buried-Layer (major-source-hor 0.05) ; Lateraler Abfall der Source-Dotierung (major-source-vert 0.06) ; Vertikaler Abfall der Source-Dotierung (major-drain-hor 0.05) ; Lateraler Abfall der Drain-Dotierung (major-drain-vert 0.06) ; Vertikaler Abfall der Drain-Dotierung (major-chann-hor 0.04) ; Lateraler Abfall der Kanal-Dotierung (major-chann-vert 0.05) ; Vertikaler Abfall der Kanal-Dotierung (major-buried-vert 0.36) ; Vertikaler Abfall des Buried-Layer (major-source-fac 1.2) ; Ueberlappung Source-Dotierung mit Spacer (major-drain-fac 1.2) ; Ueberlappung Drain-Dotierung mit Spacer (major-cfac 0.6) ; Relative Breite der Kanal-Dotierung ; Dotierung mit Minoritaets-Material (minor-chann-peak 5e17) ; Maximale Kanal-Dotierung (minor-chann-vert 0.2) ; Vertikaler Abfall der Kanal-Dotierung (minor-buried-peak 5e17) ; Maximale Dotierung des Buried-Layer (minor-buried-vert 0.4) ; Vertikaler Abfall des Buried-Layer
Abbildung 10.4: Die Geometrie des MOSFET
Abbildung 10.5: Die Phosphor-Konzentration des MOSFET