Der -Durchbruch zufolge des Widerstands des
-bodies
ist in [3], [8] und [67] ausführlich behandelt.
Aus Abb. 4.4 erkennt man, daß hierbei der parasitäre
Bipolartransistor und der
-body-Widerstand wieder eine wesentlich
Rolle spielen. Eine Drainspannungsänderung führt zu einem Stromfluß über
die Kapazität zwischen Drain und
-body und bewirkt am internen
Widerstand des
-bodies einen Spannungsabfall, der zur Erhöhung des
Potentials im
-body führt. Damit kann es zum Einschalten des
parasitären
-Bipolartransistors kommen. Wird der Bipolartransistor bei
eingeschaltet, so ist die Grenze für
gegeben
durch:
Ist die Drainspannung höher als , die Durchbruchspannung des
parasitären Bipolartransistors bei offener Basis (siehe
Abschnitt 4.2), dann tritt sekundärer Bipolardurchbruch auf.
Da dies in der Praxis immer der Fall ist [67], gibt
Gleichung 4.19 die Grenze für das Einsetzen des
-Durchbruchs an. Dieser Durchbruch kann das Bauelement zerstören, wenn
der Drainstrom
nicht extern begrenzt wird. Mit dem bereits erwähnten speziellen Design
eines DMOS-Transistors, bei dem der
-body getrennt kontaktiert
werden kann, und verschiedenen externen
-body-Widerständen an
diesem Kontakt wurde in [67] dieser Effekt experimentell
verifiziert.