Außer dem Einschalten des DMOS-Transistors zufolge einer
Drainspannungsänderung und eines Gatewiderstands ist allen in diesem
Kapitel beschriebenen Durchbruchsmechanismen gemeinsam, daß sie mit dem
-body-Widerstand des parasitären 
-Bipolartransistors,
gebildet aus Sourcegebiet, -body und Driftzone, zusammenhängen.
Die Durchbrucheffekte treten mit größer werdendem Widerstand früher
bzw. stärker zutage.
Dieser Widerstand vergrößert sich mit steigender Drainspannung, da die
Raumladungszone zwischen -body und Driftgebiet auch weiter in den
-body eindringt und den Stromflußquerschnitt verringert.
Der Temperatureinfluß auf diese Durchbruchsmechanismen ist, wie schon
erwähnt, gering. In [51] wird gezeigt, daß dies auf einer
Kompensation gegenläufiger Effekte beruht: Mit steigender Temperatur werden
sowohl 
als auch 
größer [8], was zu einer
Erhöhung von 
führen müßte, aber auch 
steigt aufgrund
der mit steigender Temperatur kleiner werdenden Beweglichkeit. Zusätzlich
sinkt die Flußspannung 
eines Bipolartransistors mit steigender
Temperatur [96], was das Einschalten des parasitären
-Transistors begünstigt.
-Kanal DMOS-Transistoren zeigen ein betragsmäßig höheres
als -Kanal
DMOS-Transistoren, da der -body einen geringeren Widerstand
aufweist als der -body (höhere Elektronenbeweglichkeit) und
außerdem einen geringeren Lawinengenerationskoeffizienten [125].
Die Verringerung des Widerstands des -bodies zwischen Kanalgebiet
und seiner Kontaktierung durch den Sourcekontakt ist die wichtigste
Maßnahme zur Unterdrückung der sekundären Durchbrucheffekte. Bei modernen
DMOS-Transistoren können diese durch die zusätzliche 
-Implantation
des -bodies (siehe Abschnitt 2.2) fast völlig
eliminiert werden.