7 Ergebnisse

DIESES Kapitel zeigt Vergleiche des analytischen Modells für den DMOS-Transistor mit Messungen. Die präsentierten Ergebnisse beziehen sich auf Einzeltransistoren mit verschiedenen Zellenzahlen und einfache Schaltungen. Deshalb gliedert sich dieses Kapitel in zwei größere Abschnitte.

Im ersten Abschnitt wird auch auf die Problematik der Parameteranpassung kurz eingegangen. Das Modell mit den angepaßten Parametern wird dann zur Netzwerksimulation von Teilen von tatsächlich in DMOS-Technologie ausgeführten Schaltungen benützt. Zur Schaltungssimulation wird SABER benützt.

• 7.1 Der Einzeltransistor
• 7.2 DMOS-Schaltungen
  • 7.2.1 DMOS-Transistor-Ausgangspuffer mit Strombegrenzung
    • 7.2.1.1 Funktion der Schaltung
    • 7.2.1.2 Deutung der Kurvenverläufe und Vergleich zwischen Messung und Schaltungssimulation
  • 7.2.2 DMOS-Transistor-Treiberschaltung mit -Begrenzung
    • 7.2.2.1 Funktion der Schaltung
    • 7.2.2.2 Vergleich zwischen Messung und Schaltungssimulation