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In diesem Abschnitt werden die Fehlerverläufe
![equation6051](img327.gif)
und die Dotierstoffkonzentrationen für einige ausgewählte Punktantworten
dargestellt. Untersucht wurde ein für die Monte Carlo Simulation interessanter
Energiebereich von 10 bis 60keV an Hand von Bor-, Phosphor- und Arsen-Ionen.
Folgende Einstellungen gelten für alle Simulationen:
- das (100) Silizium ist mit 5nm Siliziumdioxid bedeckt,
- der Ionenstrahl ist um 7
gegenüber der [100]-Richtung
gekippt,
- der Wafer ist gegenüber der y-Achse um 45
verdreht,
- die Implantationsdosis beträgt
,
- das Implantationsfenster ist 10nm breit,
- die transiente Gitterschädigung wird berücksichtigt und
- die Ist-Verteilungen werden mit
- 5.000 bzw. 40.000 ungeteilten und
- 5.000 geteilten
Trajektorien berechnet.
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Mon Dec 23 13:09:21 MET 1996