Einige ausgewählte Punktantworten

In diesem Abschnitt werden die Fehlerverläufe

und die Dotierstoffkonzentrationen für einige ausgewählte Punktantworten dargestellt. Untersucht wurde ein für die Monte Carlo Simulation interessanter Energiebereich von 10 bis 60keV an Hand von Bor-, Phosphor- und Arsen-Ionen.

Folgende Einstellungen gelten für alle Simulationen:

• das (100) Silizium ist mit 5nm Siliziumdioxid bedeckt,
• der Ionenstrahl ist um 7 gegenüber der [100]-Richtung gekippt,
• der Wafer ist gegenüber der y-Achse um 45 verdreht,
• die Implantationsdosis beträgt ,
• das Implantationsfenster ist 10nm breit,
• die transiente Gitterschädigung wird berücksichtigt und
• die Ist-Verteilungen werden mit
  • 5.000 bzw. 40.000 ungeteilten und
  • 5.000 geteilten
  Trajektorien berechnet.

 
• 10keV-Bor-Implantation
• 25keV-Bor-Implantation
• 40keV-Bor-Implantation
• 60keV-Bor-Implantation
• 10keV-Phosphor-Implantation
• 25keV-Phosphor-Implantation
• 40keV-Phosphor-Implantation
• 60keV-Phosphor-Implantation
• 10keV-Arsen-Implantation
• 25keV-Arsen-Implantation
• 40keV-Arsen-Implantation
• 60keV-Arsen-Implantation