Der high electron mobility transistor ist ein relativ junges Bauelement, das erst durch moderne Prozeßtechnologie möglich gemacht wurde. Ausgangspunkt für die Entwicklung von HEMTs ist die Idee, die guten Beweglichkeitsverhältnisse in schwach dotierten oder undotierten Materialien für Feldeffekttransistoren zu nutzen. Die Beweglichkeit der Ladungsträger in einem normalen MOS-Transistor ist durch die Streuprozesse an der Oberfläche (der Grenzfläche zum Oxid) und auch durch die Dotierung, die meist im Kanal notwendig ist, stark herabgesetzt.
Um einen Kanal in undotiertem Material aufzubauen und die gute Beweglichkeit in diesem Material nicht durch eine rauhe Oberfläche zu vermindern, war der Einsatz von Heterotechniken, also die Kombination unterschiedlicher Halbleiter, notwendig.
Es ist mit modernen Epitaxie-Verfahren möglich, Schichtdicken in der Größenordnung bis zu einer Atomlage zu realisieren. Die Herstellung dieser sehr dünnen Schichten, besonders aber die Herstellung extrem guter Grenzflächen zwischen diesen Schichten, die nur wenig Oberflächenrauhigkeit aufweisen, hat die Entwicklung vieler neuer Bauelemente ermöglicht, von denen zwei, nämlich der HBT (heterojunction bipolar transistor) und der HEMT, als besonders schnelle Varianten von Bipolar- und Feldeffekttransistor Eingang in die industrielle Großserienfertigung gefunden haben.
Eines dieser Bauelemente, der HEMT, wurde im Rahmen einer Kooperation mit einem industriellen Partner mit dem neuen Bauelementsimulator studiert. Eine genaue Adaption und Kalibrierung des Simulators wird noch einige spezielle Messungen - besonders an den Grenzen des Operationsbereichs - und Vergleichsrechnungen benötigen, die Transfercharakteristik dieses Bauelements und die Verhältnisse in den einzelnen Schichten können jedoch bereits gut reproduziert werden.