Bei immer höheren Gate-Source-Spannungen entwickelt sich aus der vorhin beschriebenen Ladungsträgerzunge ein parasitärer Kanal, der im supply layer die Source- und Draingebiete verbindet. Dieser parasitäre Kanal schirmt das Gate von der eigentlichen Kanalschicht ab, sodaß eine weitere Zunahme der Gate-Source-Spannung nur eine Erhöhung der Elektronenkonzentration im supply layer, nicht aber im eigentlichen Kanal bewirkt. Die Steuerbarkeit des Bauelements geht somit verloren, und aufgrund der sehr schlechten Beweglichkeit im supply layer ist dieser Betriebsfall für die praktische Verwendung nicht geeignet.
Die Bilder 11.28 bis 11.33 zeigen die Verhältnisse
bei 
.
Am Potential (Bild 11.28) erkennt man, daß das Gate seine depletierende Wirkung weitgehend verloren hat. Die Elektronenkonzentration (Bild 11.30) läßt über dem voll eingeschalteten Kanal auch die hohe Ladungsträgerkonzentration unter dem Gate erkennen. Von der Drain-Source-Spannung fallen im Kanal nur noch 16 % ab (Bild 11.30). Bild 11.31 zeigt den Stromfluß, der bereits überwiegend im parasitären Kanal stattfindet. Der ,,eckige`` Eindruck, den die Konturlinien dieser Bilder unter dem Gate erwecken, ist auf die Verzerrung durch unterschiedliche Maßstäbe in den beiden Koordinatenrichtungen zurückführen. Die Verteilungen von Trägertemperatur und -beweglichkeit (Bilder 11.32 und 11.33) sind ähnlich wie im Sättigungsbereich.
