Die Randbedingungen, die im Simulator implementiert wurden, lassen sich in NEUMANN-Ränder, DIRICHLET-Ränder, und Heteroübergänge klassifizieren. Der Fall eines Halbleiter-Oxid-Übergangs, wie er zum Beispiel bei MOS-Transistoren auftritt, ist im Sinn dieser Klassifizierung als Heteroübergang zu betrachten.