Man kann das Oxid eines MOS-Transistors formal als Halbleiter auffassen, der ein großes verbotenes Band besitzt, bzw. als Halbleiter, dessen Bandkantenenergie zu hoch ist, um Stromtransport oder Ladungsträgerkonzentrationen zuzulassen, die die Raumladungsdichte beeinflussen.
Die Formeln für den Übergang degenerieren dann zu der denkbar einfachen Formulierung für das Potential laut (6.23), wogegen für die Ladungsträger in Konzentration und Temperatur einfach ein NEUMANN-Rand entsteht. Da dieser bereits implizit vorhanden ist, bleibt nur das Potential zu verbinden, so wie zwischen allen Halbleitern oder Isolatoren.