Auf Grundlage der Maskeninformation und der Prozessparameter
wird der physikalische Herstellungsprozess (wie z.B. Lithographie, Diffusion,
Deposition, Ätzen, ...) mittels TCAD (Technology Computer Aided
Design) Werkzeugen simuliert.
Ursprünglich wurden diese Werkzeuge als individuelle Einheiten benutzt,
um einzelne Prozessschritte zu verbessern, nun wird der Begriff etwas weiter
gefaßt und inkludiert auch die Analyse des Chips bzw. eines Teilbereichs davon (Verbindungsleitungen,
Transistoren), um relevante, auftretende physikalische Phänomene zu erfassen.
Wie oben angedeutet, verschmelzen zur Zeit die ECAD- und TCAD-Werkzeuge immer mehr, da in kritischen Bereichen mit hohen Anforderungen an die Genauigkeit Methoden aus dem TCAD Bereich herangezogen werden müssen. Dabei ist allerdings zu bedenken, dass diese aufwendigeren Methoden natürlich mehr Rechnerressourcen benötigen und deshalb möglichst effizient eingesetzt werden sollten. Insgesamt ist zu bemerken, dass sich durch den Einsatz von ECAD/TCAD Werkzeugen die Entwicklungszeiten und damit auch die Kosten für neue Technologien deutlich verkürzen. A priori läßt sich allerdings schwer feststellen, welche Modelle in welchen Bereichen einzusetzen sind, wodurch die Automatisierung der Modellauswahl mit Hindernissen verbunden ist [4,5].