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Inhaltsverzeichnis
1. Einleitung
1.1 ECAD und TCAD
1.2 Halbleitertechnologie im Überblick
1.3 Beschränkende Eigenschaften vonVerbindungsstrukturen
1.3.1 Belastbarkeit, Zuverlässigkeit
1.3.2 Induktivität
1.4 Materialanforderungen für die Zukunft
1.5 Anforderungen an den Entwurf
1.6 Modellierung der Induktivitäten von Verbindungsstrukturen
1.7 Modellierung der Verbindungsstrukturenmittels verteilter Größen
1.8 Induktoren: Induktivitäten als wichtigeAnwendung auf dem Chip
2. Geometriemodellierung und verfügbare Vergitterungsverfahren
2.1 Erzeugung der Geometrie
2.1.1 Modellierung mittels eines 'Solid Modelers'
2.1.2 Modellierung durch Topographiesimulation
2.2 Erzeugung des Simulationsgitters
3. Grundlagen der Feldberechnung
3.1 Quasistatische Näherung
3.1.1 Elektrisches Feld und Kapazität
3.1.2 Elektrischer Strom und Widerstand
3.1.3 Magnetisches Feld und Induktivität
3.1.4 Eigenschaften der Induktivitätsmatrix [L]
3.2 Statische Näherung
4. Simulation von Verbindungsleitungen
4.1 Parameterextraktion
4.1.1 Kapazitätsextraktion
4.1.2 Widerstandsextraktion
4.1.3 Induktivitätsextraktion
4.2 Ordnungsreduktionverfahren
4.3 Zuverlässigkeit von Verbindungsleitungen
5. Numerische Induktivitätsberechnung basierend auf Integrationsformeln für Tetraeder
5.1 Berechnung der Stromdichteverteilung
5.2 Gegeninduktivitäten
5.3 Selbstinduktivitäten
6. Induktivitätsberechnung mit der Monte Carlo Methode
6.1 Implementierung
6.2 Vergleich mit der Methode aus Kapitel 5
6.3 Konvergenzverhalten, Abschätzung des Simulationsfehlers
6.4 Einfluss von Singularitäten
7. Induktivitätsberechnung mit dem Vektorpotenzial
7.1 Übliche Randbedingungen für das magnetische Vektorpotenzial
7.2 Beispiel
8. Anwendungsbeispiele
8.1 Dickschichtinduktor
8.2 Räumliche Leiterschleife
8.3 Spiralinduktor
8.4 Sensor
9. Ausblick
A. Detailrechnung der analytischen Integration über identische Tetraeder
B. Analytische Formeln für parallele, rechteckige Leiter
Literaturverzeichnis
Abbildungsverzeichnis
Tabellenverzeichnis
Eigene Veröffentlichungen
Lebenslauf
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