In diesem Kapitel wird eine Berechnungsmethode vorgestellt, die durch Auswertung der Neumann-Gleichung (3.50) mit Integrationsformeln die
magnetische Energie ermittelt. Abhängig von dem Term
,
werden verschiedene Integrationsschemata angewendet, um die Summe aller
Beiträge der Leiterelemente zu erhalten.
Der Einfluss des Skineffektes wird vernachlässigt, deshalb sind die
Ergebnisse gültig solange die Eindringtiefe groß ist gegenüber den Durchmessern der Verbindungsleitungsstrukturen.
Die Eindringtiefe, die abhängig ist von der elektrischen Leitfähigkeit
, der magnetischen Permeabilität und der Kreisfrequenz ,
berechnet sich mit folgender Gleichung:
|
(5.1) |
Die Eindringtiefe für Aluminium und Kupfer ist in Abb. 5.1 dargestellt.
Als Zahlenbeispiel sei angeführt: Die Eindringtiefe beträgt 2.1
m für
Cu und 2.6
m für Al bei einer Frequenz von 1 GHz. Die Höhe der
Leitungen in den unteren Verdrahtungsebenen liegt im Bereich von 350 nm. Globale Leitungen weisen eine Höhe von
670 nm für eine 130 nm Technologie auf.
Abbildung 5.1:
Eindringtiefe für Al und Cu
Leiter
|
Die Verallgemeinerung von (1.4) dient zur Berechnung der
Induktivität:
|
(5.2) |
wobei
die Ortsvektoren und
bzw.
die Leitervolumina bezeichnen, und die Ströme
durch diese Leiter sind. Diese Gleichung wird unterschiedlich ausgewertet, je
nachdem, ob Selbstinduktivitäten () oder Gegeninduktivitäten () berechnet werden. Gleichung (5.2) kann für gewisse Spezialfälle
geschlossen gelöst werden. Setzt man beispielsweise eine konstante
Stromverteilung in einem Rechteckleiter voraus, so kann eine geschlossene
Lösung angegeben werden [103]. Die Induktivität hängt in diesem
Fall nur mehr von der Leitergeometrie ab. Da sich trotz dieser
Vereinfachung die Lösung des doppelten Volumsintegrals nur für elementare
Geometrien in geschlossener Form angeben läßt, ist es für allgemeine
Strukturen nötig (5.2) numerisch auszuwerten.
Unterabschnitte
C. Harlander: Numerische Berechnung von Induktivitäten in dreidimensionalen Verdrahtungsstrukturen