Die im letzten Kapitel behandelten Generations/Rekombinationsprozesse sind feldunabhängig. Nimmt man jedoch Leckstromkennlinien von steilen pn-Übergängen auf, so stellt man einen von der Sperrspannung abhängigen Leckstrom fest. Die Generationsprozesse, die diese Stromzunahme bewirken, können dabei über die tiefen Störstellen des SHOCKLEY-READ-HALL-Prozesses (SRH) ablaufen. In diesem Fall spricht man vom fehlstellenunterstützten Band zu Band Tunneln. Sind die Generationsprozesse unabhängig von vorhandenen Fehlstellen, so liegt ein direkter Band zu Band-Tunnelprozeß vor. In beiden Prozessen spielt dabei das lokale elektrische Feld die entscheidende Rolle.
Die in diesem Kapitel vorgestellten Modelle beschreiben zwei in MINIMOS-NT implementierte Modelle für fehlstellenunterstütztes Band zu Band-Tunneln (TBB), sowie zwei Modelle für direktes Band zu Band-Tunneln (BB). Nur im Fall des direkten Band zu Band-Tunnelns unterscheiden die Modelle, ob Ladungsträgerrekombination- oder Generation vorliegt.