In besonders engen Heterostrukturen (zum Beispiel DH-HEMT mit kleiner Kanalbreite oder SH-Strukturen mit hohen transversalen Feldern analog dem MOS Kanal) kann die Quantisierung der Ladungsträger auch für die Beweglichkeit bedeutend werden [13,86], ihre Degradation
wird aber durch den geometrischen Entwurf der Heterostruktur vermieden.
Abgesehen von der quantitativ relativ geringen Bedeutung obiger Einflüsse, zumindest für technisch und anwendungsrelevante Bauelemente, ergibt sich die Schwierigkeit, die Modelle von topologischen Größen (Geometrie) und/oder Eigenschaften angrenzender Materialien formulieren zu müssen. Dies kann in der Modellierung physikalischer Parameter für die Simulation allgemeiner Strukturen nicht bewerkstelligt werden. Die Modelle können jeweils nur lokale Eigenschaften und Zusammenhänge enthalten (``self contained'').