Kombinierte Beweglichkeit  

Die Kombination der obigen Phononen- (PO, ADP), Legierungs- (ALL) und Störstellenstreuung (II) bestimmt die Beweglichkeit im homogenen HL. Andere Effekte wie Streuung an nicht geladenen Defekten (nicht ionisierte Störstellen, isolierte Vakanzen und Zwischengitteratome) werden nicht betrachtet, da sie im Vergleich zu den anderen Effekten schwache Wechselwirkungen sind und in heutigen HL Materialien nur in sehr geringer Konzentration auftreten. Zur Veranschaulichung der relativen Bedeutung der einzelnen Streuprozesse dient Abbildung 6.1. Sie zeigt neben den Einzelbeweglichkeiten die mittels der Matthiessen-Regel  (6.19) kombinierte Gesamtbeweglichkeit für praktisch undotiertes Ga_xIn_1-xAs bei Raumtemperatur als Funktion der Zusammensetzung. Neben der dominanten PO Streuung ist die Legierungsstreuung (ALL) für mittlere Werte von x wichtig.

  

Abbildung 6.1: Nullfeldbeweglichkeit aufgrund einzelner Streuprozesse und nach Matthiessen kombinierte Gesamtbeweglichkeit in Ga_xIn_1-xAs als Funktion der Zusammensetzung ($T= 300\,\mathrm{K}$, $N_{\mathrm{D}}=10^{15}\,\mathrm{cm}^{-3}$)

In Abbildung 6.2 ist der Temperaturverlauf der einzelnen Komponenten sowie der kombinierten Beweglichkeit dargestellt. Mit sinkender Temperatur wird die Störstellenstreuung immer bedeutender und überwiegt schließlich die Phononen- und Legierungsstreuung.

  

Abbildung 6.2: Nullfeldbeweglichkeit aufgrund einzelner Streuprozesse und nach Matthiessen kombinierte Gesamtbeweglichkeit in Ga_0.47In_0.53As als Funktion der Temperatur ($N_{\mathrm{D}}=10^{15}\mathrm{cm}^{-3}$)