Die Möglichkeiten der modernen Prozeßtechnologie erlauben die Fertigung geschichteter Halbleitermaterialien mit der Genauigkeit einzelner Atomlagen. Werden Halbleiter mit unterschiedlichen Bandabständen kombiniert, kann der Verlauf der Bandkantenenergien den gewünschten Eigenschaften des Bauelements entsprechend geformt werden. Es ändern sich die Bandkantenenergien an den Grenzflächen zwischen den Halbleiterschichten abrupt. In diesem Abschnitt werden die Grenzflächenbedingungen zwischen unterschiedlichen Halbleitermaterialien und -legierungen hergeleitet.