3 Die Optimierung der vertikalen DMOS-Struktur

IN der DMOS-Struktur gibt es relativ viele Freiheitsgrade, die eine Optimierung des Bauelementverhaltens erlauben. Das bezieht sich sowohl auf strukturelle als auch auf quantitative Optimierungen. Ersteres betrifft etwa den Verlauf des Oxids zwischen benachbarten DMOS-Zellen und am Rand der DMOS-Struktur, letzteres eine Vielzahl von Parametern, wie z.B. Gateoxiddicke, Kanallänge, Dotierung des -bodies, Epi-Dotierung, Dicke der Epi-Schicht, Zellweite, Sourcekontaktweite, Zellenanordnung. Der Einfluß und die Optimierung der wichtigsten dieser Parameter soll im folgenden beschrieben werden.

• 3.1 Strukturelle Optimierung
  • 3.1.1 Isolierung
  • 3.1.2 Gatekontaktausführung
  • 3.1.3 Randstruktur
  • 3.1.4 Sourcekontaktausführung
  • 3.1.5 Zellenanordnung
  • 3.1.6 Epi-Dotierungsprofil
• 3.2 Quantitative Optimierung
  • 3.2.1 Die Kanaldotierung
  • 3.2.2 Das Epi-Gebiet
    • 3.2.2.1 Der On-Widerstand
    • 3.2.2.2 Die Durchbruchspannung