Der exponentielle Leistungszuwachs moderner Mikroprozessoren erleichtert den Umstieg auf physikalisch motivierte Simulationsmethoden und ermöglicht deren Anwendung bei komplizierten, realistischen Bauelementstrukturen [Ush88, Sel89, Kum90, Toh91, Boh95c, Boh95e, Lei95a, Lei95b, Lor95, Rys95, Str95].
Diese Arbeit beschränkt sich auf Modelle für die Monte Carlo Simulation der Ionenimplantation\ in Siliziumstrukturen unter Berücksichtigung des Kristallgitters. Kapitel 2 vermittelt die nötigen Grundlagen für deren Modellierung. Dabei werden auch alle Details, die dem Verständnis der nachfolgenden Kapitel dienen, erläutert.
Kapitel 3 hat den prinzipiellen Ablauf einer Monte Carlo Simulation zum Inhalt, wobei unter anderem auf Probleme der ,,Point location`` eingegangen wird.
Zentrale Punkte dieser Arbeit sind die Kapitel 4 und 5. Im ersteren wird ein neues Konzept zur Beschleunigung von Monte Carlo Simulationen, die ,,Trajectory-Split`` Methode, vorgestellt. Im darauf folgenden Kapitel wird skizziert, wie der komplexe Vorgang der Amorphisierung von Kristallstrukturen genau und fast ohne zusätzlichen Rechenaufwand beschrieben werden kann.
Die in Kapitel 6 angeführten Anwendungsbeispiele demonstrieren die universelle Einsatzbarkeit und die Vorhersagekraft eines Monte Carlo Simulators. Sie stehen stellvertretend für ganze Problemkreise, mit denen sich Technologen und Prozeßingenieure auseinandersetzen müssen.
Schlußendlich wird in Kapitel 7 ein Ausblick auf zukünftige Entwicklungen gegeben.