Die folgende Bauteilsimulation der Selbsterwärmung soll den Einfluß bestimmter thermischer Annahmen veranschaulichen. Dabei spielt sowohl die Form des Bauteils eine Rolle als auch die Dicke der Oxidschicht. Bei den Simulationen sind alle thermischen Kontakte auf 300K spezifiziert. Die Simulationen sollen nicht die absolute Bauteiltemperatur angeben, sondern nur die maximale Temperaturüberhöhung. Bei allen Simulationen ist die Source- und Substratspannung auf 0V gesetzt. Drain- und Gatespannung sind mit 5V angenommen. Die elektrisch aktive Schicht beträgt 90nm.
Die erste Bauteilsimulation geht davon aus, daß ausschließlich Source-, Drain- und Substratkontakt auf 300K gesetzt
sind. Der Gatekontakt bildet eine NEUMANN-Randbedingung, d.h es fließt keine Wärme über den Kontakt
ab. Weiters ist die Dicke der vergrabenen Oxidschicht mit angenommen. Die Temperaturverteilung
des Kristallgitters ist in Abbildung 3.17 gezeigt. Die Temperaturüberhöhung des Bauteils beträgt in diesem
Betriebszustand um die 200K. Der simulierte Drainstrom beträgt
.Haupteinfluß auf die starke Überhöhung hat der fehlende thermische Kontakt des Gate. Zu ähnlichen
Simulationsergebnissen kommen auch die Autoren von [76].
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In der zweiten Simulation ist der Gatekontakt ebenfalls auf 300K gesetzt. Die Dicke der vergrabenen Oxidschicht
beträgt wieder . Die Temperaturverteilung ist in Abbildung 3.18 gezeigt. Der simulierte
Drainstrom beträgt dabei
und liegt deutlich über der ersten Simulation.
Dies ist auf die reduzierte Beweglichkeit bei hohen Temperaturen zurückzuführen. Die Temperaturüberhöhung des
Bauteils beträgt in diesem Betriebszustand nur noch 39.5K. Allerdings bleibt die Frage offen, inwieweit man den
Gatekontakt auf diese Art thermisch spezifizieren kann. Dies hängt nicht zuletzt vom Gesamtprozeß des Bauteils ab.
Aus der Abbildung 3.18 erkennt man, daß der thermische Gatekontakt den Hauptanteil der Wärme abführt. An
der sourceseitigen Gatekante ist die Bauteiltemperatur wesentlich geringer als an der drainseitigen Gatekante. Von
den Gatekanten zum Source- bzw. Drainkontakt ist der Temperaturverlauf nahezu linear. Dies deutet darauf hin, daß
der Source - Drainabstand ebenfalls für die Temperaturüberhöhung verantwortlich ist.
In der letzten Simulation dieses Bauteils, die in Abbildung 3.19 gezeigt ist, ist der Abstand Source-Drain
von auf
verkürzt. Weiters ist die Dicke der vergrabenen Oxidschicht von
auf
reduziert. Dadurch wird ein Teil der Wärme über die vergrabenen
Oxidschicht zum Substrat abgeleitet. Die Temperaturüberhöhung des Bauteils beträgt in diesem Betriebszustand nur
noch 25K. Der Strom ISD ist etwas höher als in der zweiten Simulation.
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